优势原装出售TI《CSD18503Q5A》MOSFET N-CH 40V 8SON

品牌：TI

型号：CSD18503Q5A

年份：最新18+

封装：DFN56

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.3 毫欧 @ 22A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2640pF @ 20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），120W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSONP（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

一般信息

标准包装   2,500

包装   标准卷带  

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 NexFET™

应用

•DC-DC转换

•次级侧同步整流器

•电池电机控制